<b>Power 7技术详解 IBM巩固RISC霸主地位</b>[服务器安全]

距离IBM Power 7处理器公布已经有些日子了,从最初8核32线程3.8GHz主频的超强规格,到之后在TPC-C、SAP ERP、SPEC等测试中的超一流成就（bitscn相关阅读:IBM POWER7三大测试答案发表）,Power 7为我们带来的不止是性能上的震动,更包含着IBM对小型机利用和面向将来的考虑.本文主要梳理和解析Power 7处理器中的四大创新技术.

1、eDRAM技术大幅度拓展三级缓存

直入主题,所谓eDRAM顾名思义,就是指嵌入式动态随机存储器（Embedded DRAM）,它有两方面的好处.首先是eDRAM本身比目前遍及利用的SRAM缓存具有更高的速度,更高的密度以及更低的功耗.据IBM称,早期的eDRAM测试芯片拥有低于2ns的存取时间,密度也是嵌入式SRAM的4倍.按照IBM的官方数据,eDRAM只需求传统SRAM三分之一的空间,五分之一的功耗便可以得到一样的缓存容量,并将错误概率降低250倍.

eDRAM与逻辑晶体管全兼容,且逻辑性能不会退化.与先进的高K介质工艺和金属内衬电容技术结合,eDRAM只需求1个晶体管便可以存储1个二进制数,而原先的SRAM技术存储1个二进制数需求利用6个晶体管.IBM Power 7处理器集成了高达32MB的片上L3级缓存,较片外缓存耽误只有1/6,带宽则晋升了两倍.

IBM eDRAM 

我们知道,处理器履行计算需求顺次在L1、L2、L3缓存中查询数据,假如没有就去“更远”的内存中查询,还是没有才会去“最慢”的硬盘.近些年来计算机技术的发展一向在努力于削减这个I/O瓶颈的制约,缩短这一历程.一方面是缩短拜候历程,如集成内存掌握器在CPU内;另一方面则是加大CPU内的缓存,使得CPU在查询自身高速缓存时的“中标”率提高.Power 7中的32MB L3级缓存可以说将这种思绪拓展到了极致.

PS:有概念认为IBM这里采取的edram就是ZRAM技术,因为DRAM电容耽误长达10~20ns,不合适做缓存,而2005年基于SOI晶体管浮体kink效应的新器件被发现,并命名为ZRAM.ZRAM的特点:单管构造,无电容,所以密度很高.因为不需求电容工作的稳按期,所以耽误短.假定把集成在cpu里的ZRAM叫作eDRAM,语义上是没有错的----确切是embeded dynamic RAM.不过eDRAM普通情形下是特指电容构造的DRAM,并且至今没有ZRAM陈规模利用在上市产品中的消息,所以虽有猜疑,却也没什么证据.

kink效应的主要描写:SOI工艺的场效应管电流的通过其实依靠的是体区的载流子对的激起与迁移.电子对比“活泼”而空穴对比“怠惰”,所以不经处理的话晶体管终止之后体区会遗留少量空穴,这样就些许改变体区的电位,影响下次开通时的电流.换句话说,SOI-FET对上一次的工作有一定的记忆本领.关于逻辑电路来说,这是个很大的麻烦,需求很多办法来解除---但是关于存储器件来说,这倒是SOI器件一个不测的长处.

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