芯片制造商:晶圆烘焙技术将到达瓶颈[服务器安全]

据已从AMD经剥离的GLOBALFOUNDRIES公司称,晶圆烘焙技术行将碰到瓶颈,但是他们已经为此做好了预备.该公司还表示,他们对待芯片质料近来进展的办法要优于Intel,并且将被后者的竞争对手台积电所利用.

晶圆展示

近日,GLOBALFOUNDRIES在初次Global Technology Conference年度大会上与来自环球各地的数百位芯片计划者分享了他们的筹划,并且注释了GLOBALFOUNDRIES为什么是一家值得信任的芯片制造商.

芯片制造者行将碰到一个瓶颈,那就是关于现有光刻技术来说,光波太长儿无法持续有效地举行微缩以制造出体积更小的晶体管.当然,这有些过于简单,但是你不得不考虑到.

GLOBALFOUNDRIES技术和研发高级副总裁Gregg Bartlett向参会者表示,目前的高端技术--也就是193纳米浸入光刻技术,被引入45纳米节点--正在接近其极限.他说:"目前实际上我们正处于波长区间改变的末尾."

概括地说,目前有两种浸入光刻技术,单图案微影和双图案微影.双图案微影可以制造出体积更小的芯片,但是不但复杂,并且高贵.Bartlett表示:"双图案微影浸入光刻技术将来将被用于20纳米技术节点中."但是特别复杂性和本钱方面的挑衅,触及的费用"实际上降低了它作为一项可选光刻技术的吸引力".

据Bartlett称,目前有几个可供挑选的替换筹划:"我们知道目前需求一些冲破性的创新来推动这个技术线路图的持续向前延伸.目前已经有了一些挑选,比方MULTI-E-BEAM直接写入、超紫外线光刻乃至是纳米压印技术."

EUV

GLOBALFOUNDRIES将赌注压在了超紫外线光刻技术（即EUV）上. Bartlett表示:"我们确切将EUV放在了我们的技术线路图中."

不过这并非简单地将这些双图案微影系统从晶圆中剥离出来,然后用EUV组件将其替换.Bartlett表示:"EUV并非没有挑衅."此中,无缺陷的掩膜就是一个庞大难题,别的还有线边沿粗糙度以及能耗等.

Bartlett指出,掩膜和线边沿粗糙度的问题正在改进中,但固然"过去十几年中已经有了几个数目级的改进",但其能耗和吞吐量还没有到达他所谓的"穿插点"上.不过,他的确表示了对进展速度的称心.

别的一个就是总拥有本钱的问题.EUV的固定本钱仍旧是单图案微影的两倍.在化学和掩膜本钱等方面,EUV的本钱效率要高于双图案微影.

但是谈到EUV具有需求双图案微影的明显上风时,Bartlett表示:"因为你可以利用EUV,它实际上供应了一个削减本钱的机会."

他表示,在过去十几年中,GLOBALFOUNDRIES（作为AMD的一个分公司）已经在EUV开辟上获得了重要的进展.比方在2008年GLOBALFOUNDRIES成功实现了首个在45纳米测试芯片上的全场EUV图案,并且从位于德国Dresden的制造工厂出货了60多个EUV掩膜,并且在办理线边沿粗糙度问题方面"持续抢先".

GLOBALFOUNDRIES筹划2012年在其位于纽约Saratoga County的Fab 8工程开辟他们首个基于EUV的生产设备.Bartlett表示,EUV光刻晶圆的批量生产预计在2014年～2015年之间.

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